Referência do fabricante

EEPROM M24C08-GCT6TP/T STMicroelectronics, 1 kB, 8, I2C, 4 pines WLCSP

Código RS:: 719-620
Referência do fabricante:: M24C08-GCT6TP/T
Fabricante:: STMicroelectronics

EEPROM M24C08-GCT6TP/T STMicroelectronics, 1 kB, 8, I2C, 4 pines WLCSP

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Código RS:: 719-620
Referência do fabricante:: M24C08-GCT6TP/T
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificações

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Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tamaño de la memoria	1kB
	Tipo de producto	EEPROM
	Tipo de interfaz	I2C
	Encapsulado	WLCSP
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Frecuencia del reloj máxima	1MHZ
	Organización	1K x 8
	Tensión de alimentación máxima	1.8V
	Número de bits por palabra	8
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Altura	0.3mm
	Serie	M24C08
	Longitud	1mm
	Anchura	0.7mm
	Almacenamiento de datos	200año
	Corriente de suministro	5mA

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	Marca STMicroelectronics
	Tamaño de la memoria 1kB
	Tipo de producto EEPROM
	Tipo de interfaz I2C
	Encapsulado WLCSP
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Frecuencia del reloj máxima 1MHZ
	Organización 1K x 8
	Tensión de alimentación máxima 1.8V
	Número de bits por palabra 8
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Altura 0.3mm
	Serie M24C08
	Longitud 1mm
	Anchura 0.7mm
	Almacenamiento de datos 200año
	Corriente de suministro 5mA

Datasheet - M24C08-GCT6TP/T

COO (País de Origem):: SG

La EEPROM de 8 Kbit de STMicroelectronics compatible con I2C (memoria de solo lectura programable borrable eléctricamente) está organizada como 1 K x 8 bits. Puede funcionar con una tensión de alimentación de 1,8 V ± 5% en un rango de temperatura ambiente de -40 °C/+85 °C, con una frecuencia de reloj máxima de 400 kHz. El producto ofrece E/S compatibles con 1,2 V, y se suministra en un encapsulado de 4 bolas de escala de chip de nivel de oblea.

Protección de bloqueo/ESD mejorada 3 kV (HBM)

Más de 4 millones de ciclos de escritura

Más de 200 años de retención de datos

Protección contra escritura por hardware de toda la matriz de memoria

Modos de lectura aleatoria y secuencial

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