No EEPROM M24M02E-UFMN6TP STMicroelectronics, 2 MB, 8192 Words x, 8, I2C, 900 ns, 8 pines SO-8N

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Código RS:
527-115
Referência do fabricante:
M24M02E-UFMN6TP
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

EEPROM

Tamaño de la memoria

2MB

Tipo de interfaz

I2C

Encapsulado

SO-8N

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Frecuencia del reloj máxima

1MHz

Organización

8 K x 8

Tensión de alimentación mínima

1.7V

Tensión de alimentación máxima

5.5V

Número de bits por palabra

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Certificaciones y estándares

RoHS, ECOPACK2

Anchura

150 m

Serie

M24C64-U

Número de palabras

8192 Words

Almacenamiento de datos

200year

Corriente de suministro

0.8mA

Tiempo de acceso aleatorio máximo

900ns

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
La EEPROM (memoria programable borrable eléctricamente) de 2-Mbit compatible con I²C de STMicroelectronics está organizada en 256 K x 8 bits. Puede funcionar con una tensión de alimentación de 1,6 V a 5,5 V con una frecuencia de reloj de hasta 1 MHz, en un rango de temperatura ambiente de -40 °C a +85 °C. El dispositivo ofrece tres registros de 8 bits, a saber: el registro de identificador de tipo de dispositivo (DTI), la dirección de dispositivo configurable (CDA) y el registro de protección contra escritura por software (SWP). El dispositivo ofrece una página adicional de 256 bytes, denominada página de identificación. Esta página puede utilizarse para almacenar parámetros sensibles de la aplicación, que posteriormente pueden bloquearse de forma permanente en modo de sólo lectura.

Interfaz I²C

Protección ESD/latch-up mejorada

Tiempo de activación rápido (menos de 5 μs)

Registro de dirección de dispositivo configurable

Registro de identificador de tipo de dispositivo (en sólo lectura)

Dirección de dispositivo preprogramada

Registro de protección contra escritura por software

Protección contra escritura por hardware de toda la matriz de memoria

Modos de lectura aleatoria y secuencial

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