AEC-Q100 EEPROM en serie 25LC512-I/SN Microchip, 512 kB, 8, Serie SPI, 50 ns, 8 pines SOIC

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Código RS:
454-321
Referência do fabricante:
25LC512-I/SN
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de producto

EEPROM en serie

Tamaño de la memoria

512kB

Tipo de interfaz

Serie SPI

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Frecuencia del reloj máxima

20MHz

Organización

64k x 8 Bit

Tensión de alimentación mínima

2.5V

Tensión de alimentación máxima

5.5V

Número de bits por palabra

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Anchura

6 mm

Longitud

4.9mm

Certificaciones y estándares

No

Tiempo de acceso aleatorio máximo

50ns

Corriente de suministro

10mA

Almacenamiento de datos

200year

Estándar de automoción

AEC-Q100

EEPROM serie SPI 25AA512/25LC512


La familia de dispositivos 25AA512/25LC512 de Microchip son EEPROM serie SPI de 32 Kbits, disponibles con muchas opciones de fuente de alimentación, temperatura y encapsulado. Incorpora funciones de borrado de página, sector y chip típicamente asociadas con productos basados en Flash.

La interfaz periférica serie (SPI) se utiliza para proporcionar las señales de entrada de reloj (SCK), entrada de datos (SI) y salida de datos (SO) necesarias. El funcionamiento de estos dispositivos se puede pausar a través de un contacto de retención (HOLD) que hace que se ignoren las entradas excepto las interrupciones de mayor prioridad definidas a través del contacto de selección de chip (CS).

Características


Velocidad de reloj máxima: 20 MHz

Operaciones de escritura de nivel de byte y página (5 ms máximo): no se requiere borrado de página o sector

Página de 128 bytes

Corriente de escritura máxima: 5 mA a 5,5 V, 20 MHz

Corriente de lectura: 10 mA a 5,5 V, 20 MHz

Corriente en standby: 1 μA a 2,5 V (desconexión profunda)

Firma electrónica para ID del dispositivo

Ciclos de borrado y escritura autocronometrados: borrado de página (5 ms típico), borrado de sector (10 ms/sector, típico) y borrado masivo (10 ms, típico)

Protección contra escritura de sector (16K bytes/sector): proteger nada, 1/4, 1/2 o toda la matriz

Protección contra escritura integrada: circuitos de protección de datos de encendido/apagado, cierre de activación de escritura, contacto de protección contra escritura

Duración: 1 millón de ciclos de borrado/escritura

Retención de datos: >200 años

Protección contra ESD: >4.000 V

Acceso serie de EEPROM - Microchip


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