AEC-Q100 EEPROM BR25H256FVM-5ACTR ROHM, 256 kB, 32768 x, 8, I2C, 8 pines MSOP8
- Código RS:
- 265-196
- Referência do fabricante:
- BR25H256FVM-5ACTR
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 265-196
- Referência do fabricante:
- BR25H256FVM-5ACTR
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tamaño de la memoria | 256kB | |
| Tipo de producto | EEPROM | |
| Tipo de interfaz | I2C | |
| Encapsulado | MSOP8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Organización | 32768 x 8 bit | |
| Frecuencia del reloj máxima | 20MHz | |
| Tensión de alimentación mínima | 1.7V | |
| Número de bits por palabra | 8 | |
| Tensión de alimentación máxima | 5.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Longitud | 4mm | |
| Serie | BR25H256xxx-5AC | |
| Anchura | 2.9 mm | |
| Altura | 0.9mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q100 | |
| Número de palabras | 32768 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Almacenamiento de datos | 50year | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tamaño de la memoria 256kB | ||
Tipo de producto EEPROM | ||
Tipo de interfaz I2C | ||
Encapsulado MSOP8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Organización 32768 x 8 bit | ||
Frecuencia del reloj máxima 20MHz | ||
Tensión de alimentación mínima 1.7V | ||
Número de bits por palabra 8 | ||
Tensión de alimentación máxima 5.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Longitud 4mm | ||
Serie BR25H256xxx-5AC | ||
Anchura 2.9 mm | ||
Altura 0.9mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q100 | ||
Número de palabras 32768 | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
Almacenamiento de datos 50year | ||
La EEPROM ROHM ofrece funciones avanzadas de protección contra escritura, incluida la configuración de bloques de protección contra escritura controlada por software (1/4, 1/2 o toda la matriz de memoria). Incluye una función HOLD a través de la patilla HOLDB, prohibición de escritura en el encendido y protección adicional contra escritura a través de la patilla WPB. El diseño garantiza la prevención de errores de escritura, incluso a baja tensión, proporcionando una sólida seguridad de los datos.
Función de incremento automático de dirección en la operación de lectura
Función de autoborrado y autofinalización en la reescritura de datos
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