Texas Instruments MOSFET MOSFET UC3706N 1.5 A 2 PDIP 16 pines 40V
- Código RS:
- 661-3113
- Referência do fabricante:
- UC3706N
- Fabricante:
- Texas Instruments
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- Código RS:
- 661-3113
- Referência do fabricante:
- UC3706N
- Fabricante:
- Texas Instruments
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Texas Instruments | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente de Salida | 1.5A | |
| Número de pines | 16 | |
| Encapsulado | PDIP | |
| Tiempo de caída | 80ns | |
| Número de Salidas | 2 | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Tiempo de subida | 110ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 40V | |
| Número de drivers | 2 | |
| Tensión de alimentación máxima | 40V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 0°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 70°C | |
| Serie | UC3706 | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.35mm | |
| Longitud | 19.3mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Texas Instruments | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente de Salida 1.5A | ||
Número de pines 16 | ||
Encapsulado PDIP | ||
Tiempo de caída 80ns | ||
Número de Salidas 2 | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Tiempo de subida 110ns | ||
Tensión de alimentación mínima 40V | ||
Número de drivers 2 | ||
Tensión de alimentación máxima 40V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 0°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 70°C | ||
Serie UC3706 | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.35mm | ||
Longitud 19.3mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Estándar de automoción No | ||
Controladores MOSFET e IGBT, hasta 2,5 A, Texas Instruments
Una gama de CI de controlador de puerta específicos de Texas Instruments adecuada tanto para aplicaciones MOSFET como IGBT. Los dispositivos son capaces de proporcionar salidas de corriente alta compatible con los requisitos de control de dispositivos de potencia MOSFET e IGBT y están disponibles en configuraciones y tipos de encapsulado diversos.
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