Renesas Electronics MOSFET MOSFET HIP2101IBZT 2 A 2 SOIC 8 pines 14V
- Código RS:
- 238-0034
- Referência do fabricante:
- HIP2101IBZT
- Fabricante:
- Renesas Electronics
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- Código RS:
- 238-0034
- Referência do fabricante:
- HIP2101IBZT
- Fabricante:
- Renesas Electronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Renesas Electronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente de Salida | 2A | |
| Número de pines | 8 | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tiempo de caída | 10ns | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Número de Salidas | 2 | |
| Tiempo de subida | 500ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 9V | |
| Tensión de alimentación máxima | 14V | |
| Número de drivers | 2 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4mm | |
| Serie | HIP2101 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Renesas Electronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente de Salida 2A | ||
Número de pines 8 | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tiempo de caída 10ns | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Número de Salidas 2 | ||
Tiempo de subida 500ns | ||
Tensión de alimentación mínima 9V | ||
Tensión de alimentación máxima 14V | ||
Número de drivers 2 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4mm | ||
Serie HIP2101 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción No | ||
El modelo HIP2101 de Renesas Electronics es un CI de controlador de potencia MOSFET de canal N de medio puente de alta frecuencia de 100 V. Es equivalente al HIP2100 con la ventaja añadida de contactos de entrada lógica totalmente compatibles con TTL/CMOS. A diferencia de algunos competidores, la salida de lado alto vuelve a su estado correcto después de una subtensión momentánea de la alimentación de lado alto.
Control de MOSFET de canal N de medio puente
Con opciones de encapsulado SOIC, EPSOIC, QFN y DFN
Tensión máx. de alimentación de autocarga hasta 114 V dc
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