Microchip MOSFET MOSFET 1.2 A DIP 8 pines 18V
- Código RS:
- 236-8954
- Referência do fabricante:
- TC1427CPA
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 236-8954
- Referência do fabricante:
- TC1427CPA
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente de Salida | 1.2A | |
| Número de pines | 8 | |
| Encapsulado | DIP | |
| Tiempo de caída | 25ns | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Tiempo de subida | 35ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 18V | |
| Tensión de alimentación máxima | 18V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 0°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 70°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | TC1427 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente de Salida 1.2A | ||
Número de pines 8 | ||
Encapsulado DIP | ||
Tiempo de caída 25ns | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Tiempo de subida 35ns | ||
Tensión de alimentación mínima 18V | ||
Tensión de alimentación máxima 18V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 0°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 70°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie TC1427 | ||
Estándar de automoción No | ||
Los controladores de alta velocidad dobles Microchip 1,2 A están fabricados con CMOS y se utilizan para bajo consumo de potencia y alta eficiencia. Estos dispositivos están fabricados con una capa epitaxial para cortocircuitar de manera eficaz el transistor parásito intrínseco responsable del bloqueo CMOS. Incorporan una serie de otros refinamientos de diseño y proceso para aumentar su fiabilidad a largo plazo. Las especificaciones se han optimizado para lograr dispositivos de bajo coste y alto rendimiento, adecuados para los fabricantes de gran volumen.
Coste bajo
Protegido contra bloqueo que resiste 500 mA
Corriente de salida inversa
Protección contra ESD ±2 kV
Alta corriente de salida Peak: 1,2 A.
Amplio rango de funcionamiento
Alta capacidad de accionamiento de carga capacitiva de 1000 pF en 38 n seg
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