Infineon MOSFET MOSFET IRS2103STRPBF 290 mA SOIC 8 pines 600V
- Código RS:
- 226-6181
- Referência do fabricante:
- IRS2103STRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 226-6181
- Referência do fabricante:
- IRS2103STRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente de Salida | 290mA | |
| Número de pines | 8 | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tiempo de caída | 90ns | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Número de Salidas | 2 | |
| Tiempo de subida | 170ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 20V | |
| Tensión de alimentación máxima | 600V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.75mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Serie | IRS | |
| Anchura | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente de Salida 290mA | ||
Número de pines 8 | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tiempo de caída 90ns | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Número de Salidas 2 | ||
Tiempo de subida 170ns | ||
Tensión de alimentación mínima 20V | ||
Tensión de alimentación máxima 600V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.75mm | ||
Longitud 5mm | ||
Serie IRS | ||
Anchura 4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon IRS2103 es un controlador IGBT y MOSFET de potencia de alta velocidad y alta tensión con canal de salida referenciado de lado alto y bajo dependiente. Las tecnologías HVIC y CMOS inmunes a bloqueos propias permiten una construcción monolítica resistente. La entrada lógica es compatible con salida CMOS o LSTTL estándar, lógica de hasta 3,3 V.
Lógica de prevención contra la conducción transversal
Retardo de propagación ajustado para ambos canales
Tiempo de inactividad interno establecido
Salida de lado alto en fase con entrada HIN
Salida de lado bajo fuera de fase con entrada
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