Infineon Controlador de MOSFET de potencia e IGBT MOSFET 3 A SOIC 16 pines 200V

Código RS:: 226-6147
Referência do fabricante:: IR2010STRPBF
Fabricante:: Infineon

Infineon Controlador de MOSFET de potencia e IGBT MOSFET 3 A SOIC 16 pines 200V

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Código RS:: 226-6147
Referência do fabricante:: IR2010STRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	Controlador de MOSFET de potencia e IGBT
	Corriente de Salida	3A
	Número de pines	16
	Tiempo de caída	25ns
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de unidad	MOSFET
	Número de Salidas	2
	Tiempo de subida	10ns
	Tensión de alimentación mínima	10V
	Tensión de alimentación máxima	200V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	7.6mm
	Longitud	10.5mm
	Altura	2.65mm
	Serie	IR2010(S)PBF
	Tipo de montaje	Superficie
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto Controlador de MOSFET de potencia e IGBT
	Corriente de Salida 3A
	Número de pines 16
	Tiempo de caída 25ns
	Encapsulado SOIC
	Tipo de unidad MOSFET
	Número de Salidas 2
	Tiempo de subida 10ns
	Tensión de alimentación mínima 10V
	Tensión de alimentación máxima 200V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 7.6mm
	Longitud 10.5mm
	Altura 2.65mm
	Serie IR2010(S)PBF
	Tipo de montaje Superficie
	Estándar de automoción No

Datasheet - IR2010STRPBF

Controlador MOSFET de potencia e IGBT de la serie IR2010(S)PBF de Infineon, tensión de alimentación mínima de 10 V, corriente de salida de 3 A - IR2010STRPBF

Este controlador MOSFET e IGBT de potencia es un CI de controlador de puerta de doble canal diseñado para accionar MOSFET de potencia e IGBT en aplicaciones de conmutación de alta tensión. Funciona en temperaturas industriales extremas y admite el uso en conjuntos de montaje en superficie, proporcionando corrientes de accionamiento de puerta controladas y un rendimiento de conmutación rápida para sistemas de electrónica de potencia.

Características y ventajas:

• Las salidas dobles proporcionan una corriente de accionamiento de pico de 3 A para una conmutación más rápida
• La alimentación mínima de 10 V permite el funcionamiento desde carriles de puerta comunes
• El tiempo de subida de 10 ns reduce las pérdidas de transición durante el encendido
• límites de tiempo de caída de 25 ns de tensión de conmutación en transistores
• La alimentación máxima de 200 V proporciona capacidad de accionamiento de puerta de alta tensión
• El encapsulado SOIC de 16 contactos permite un montaje en superficie compacto

Aplicaciones

• Adecuado para accionamiento de puerta en etapas de potencia de inversor
• Ideal para el control de interruptores de alta tensión en convertidores
• Se utiliza con matrices MOSFET discretas en accionamientos de motor
• Puede utilizarse para el control de puerta IGBT en fuentes de alimentación
• Apto para módulos de alimentación compactos de montaje en superficie

¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar?

Funciona en un amplio rango de temperatura ambiente de –55 a 150 °C, lo que permite su uso en entornos térmicamente exigentes.

¿Qué encapsulado y estilo de montaje utiliza?

El dispositivo se suministra en un encapsulado SOIC de 16 contactos diseñado para montaje en superficie en PCB.

¿Cómo afecta su número de contactos a la disposición de la PCB?

La disposición de 16 pines proporciona pines separados para salidas dobles y entradas de control, lo que simplifica el enrutamiento de señales de puerta aisladas.

¿Qué perfil físico deben permitir los diseñadores para las restricciones de altura?

El componente tiene una altura total de 2,65 mm, que debe tenerse en cuenta al planificar el apilado de componentes y los espacios de la carcasa.