Infineon MOSFET MOSFET 1EDC60H12AHXUMA1 6 A 2 DSO 8 pines 17V
- Código RS:
- 226-6014
- Referência do fabricante:
- 1EDC60H12AHXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 226-6014
- Referência do fabricante:
- 1EDC60H12AHXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente de Salida | 6A | |
| Número de pines | 8 | |
| Encapsulado | DSO | |
| Tiempo de caída | 9ns | |
| Número de Salidas | 2 | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Tiempo de subida | 10ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 15V | |
| Número de drivers | 2 | |
| Tensión de alimentación máxima | 17V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Anchura | 6.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 7.6mm | |
| Serie | 1EDC60H12AH | |
| Altura | 2.65mm | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente de Salida 6A | ||
Número de pines 8 | ||
Encapsulado DSO | ||
Tiempo de caída 9ns | ||
Número de Salidas 2 | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Tiempo de subida 10ns | ||
Tensión de alimentación mínima 15V | ||
Número de drivers 2 | ||
Tensión de alimentación máxima 17V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Anchura 6.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 7.6mm | ||
Serie 1EDC60H12AH | ||
Altura 2.65mm | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon 1EDCxxH12AH es un controlador IGBT de un canal con aislamiento galvánico en un encapsulado PG-DSO-8-59 que proporciona corriente de salida de hasta 10 A en contactos de salida separados. Los contactos de lógica de entrada funcionan en un amplio rango de tensión de entrada de 3 V a 15 V usando nivel de umbral CMOS escalado para admitir incluso microcontrolador de 3,3 V. La transferencia de datos a través de la barrera de aislamiento se realiza mediante la tecnología de transformador sin núcleo.
Controlador IGBT aislado de un canal
Para IGBT de 600 V/650 V/1200 V, MOSFET y MOSFET de SiC
Corriente de Peak típica de hasta 10 A en salidas carril a carril
Salida de disipador y fuente independientes
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