Infineon MOSFET MOSFET 8 A 1 SOT-23 23 pines 20V
- Código RS:
- 222-4768
- Referência do fabricante:
- 1EDN8550BXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 222-4768
- Referência do fabricante:
- 1EDN8550BXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente de Salida | 8A | |
| Número de pines | 23 | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tiempo de caída | 4.5ns | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Número de Salidas | 2 | |
| Tiempo de subida | 6.5ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 4.5V | |
| Número de drivers | 1 | |
| Tensión de alimentación máxima | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | 1EDN8550B | |
| Altura | 1.25mm | |
| Anchura | 1.6mm | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente de Salida 8A | ||
Número de pines 23 | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tiempo de caída 4.5ns | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Número de Salidas 2 | ||
Tiempo de subida 6.5ns | ||
Tensión de alimentación mínima 4.5V | ||
Número de drivers 1 | ||
Tensión de alimentación máxima 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie 1EDN8550B | ||
Altura 1.25mm | ||
Anchura 1.6mm | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon 1EDN8550B es un IC de controlador de puerta no aislado y está disponible en un encapsulado SOT-23 pequeño. Dispone de entradas verdaderamente diferenciales que permiten soluciones rentables con una densidad de potencia excepcional en.
Entradas verdaderamente diferenciales
Corriente de fuente de 4A
Corriente de disipación 8A
Salidas de fuente/disipador independientes
Etapa de salida de bajo óhmico
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