Infineon MOSFET MOSFET 1EDF5673FXUMA1 8 A 1 DSO 16 pines 3.5V
- Código RS:
- 222-4759
- Referência do fabricante:
- 1EDF5673FXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 222-4759
- Referência do fabricante:
- 1EDF5673FXUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente de Salida | 8A | |
| Número de pines | 16 | |
| Tiempo de caída | 4.5ns | |
| Encapsulado | DSO | |
| Tipo de unidad | MOSFET | |
| Número de Salidas | 2 | |
| Tiempo de subida | 6.5ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 4V | |
| Número de drivers | 1 | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Serie | 1EDF5673F | |
| Anchura | 7.5mm | |
| Longitud | 10.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.35mm | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente de Salida 8A | ||
Número de pines 16 | ||
Tiempo de caída 4.5ns | ||
Encapsulado DSO | ||
Tipo de unidad MOSFET | ||
Número de Salidas 2 | ||
Tiempo de subida 6.5ns | ||
Tensión de alimentación mínima 4V | ||
Número de drivers 1 | ||
Tensión de alimentación máxima 3.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Serie 1EDF5673F | ||
Anchura 7.5mm | ||
Longitud 10.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.35mm | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción No | ||
El IC de controlador de puerta con aislamiento galvánico de un canal Infineon 1EDF5673F es un ajuste perfecto para HEMT de nitruro de galio (gan) de modo de mejora (e-mode) con puerta no aislada (característica de entrada de diodo) y baja tensión de umbral, como CoolGaN™. Garantiza un funcionamiento de interruptor gan de alta tensión robusto y muy eficiente al tiempo que minimiza los esfuerzos de I+D y reduce el tiempo de comercialización.
Salidas óhmicas bajas
Aislamiento galvánico de un canal
Aislamiento galvánico integrado
Links relacionados
- Infineon MOSFET MOSFET 8 A 1 DSO 16 pines 3.5V
- Infineon MOSFET MOSFET 8 A DSO-16 16 pines 3.5V
- Infineon MOSFET MOSFET 2EDF7175FXUMA2 8 A DSO-16 16 pines 3.5V
- Infineon MOSFET MOSFET 1EDS5663HXUMA1 8 A 1 DSO 16 pines 3.5V
- Infineon MOSFET MOSFET 8 A TFLGA-13 16 pines 3.5V
- Infineon MOSFET MOSFET 2EDF7275FXUMA2 8 A TFLGA-13 16 pines 3.5V
- Infineon MOSFET MOSFET 8 A WB-DSO16 8 pines 3.5V
- Infineon MOSFET MOSFET 8 A 3.5V