onsemi Módulo IGBT IGBT NCD57080BDR2G 6.5 A SOIC 8 pines 20V
- Código RS:
- 221-6594
- Referência do fabricante:
- NCD57080BDR2G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 221-6594
- Referência do fabricante:
- NCD57080BDR2G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Corriente de Salida | 6.5A | |
| Número de pines | 8 | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tiempo de caída | 13ns | |
| Tipo de unidad | IGBT | |
| Número de Salidas | 5 | |
| Tiempo de subida | 13ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 22V | |
| Tensión de alimentación máxima | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Serie | NCD57080 | |
| Anchura | 4mm | |
| Altura | 1.75mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Corriente de Salida 6.5A | ||
Número de pines 8 | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tiempo de caída 13ns | ||
Tipo de unidad IGBT | ||
Número de Salidas 5 | ||
Tiempo de subida 13ns | ||
Tensión de alimentación mínima 22V | ||
Tensión de alimentación máxima 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Serie NCD57080 | ||
Anchura 4mm | ||
Altura 1.75mm | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción No | ||
EL on Semiconductor NCD57080B es un controlador de puerta IGBT de una canal de alta corriente de− con aislamiento galvánico interno de 3,75 kVrms, diseñado para alta eficiencia del sistema y fiabilidad en aplicaciones de alta potencia. El dispositivo acepta entrada complementaria y, en función de la configuración de contactos, ofrece opciones como abrazadera Miller activa, fuente de alimentación negativa y salida de controlador alta y baja independiente para mayor comodidad de diseño del sistema.
Alta inmunidad a transitorios
Alta inmunidad electromagnética
Retardos de propagación cortos con coincidencia precisa
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