Infineon MOSFET MOSFET 70 A PQFN 16V

La etapa de potencia integrada Infineon combina la tecnología MOSFET de baja tensión Advanced más avanzada con el diseño de controlador más reciente. Esta integración de la tecnología de controlador, la tecnología FET y la tecnología de encapsulado también demuestra la potente combinación de las capacidades de Infineon y International Rectifier. El tiempo muerto de la corrección de bordes dobles permite una mejora significativa en la eficiencia de Peak. La detección de corriente RDS(ON) del MOSFET interno (a través de conexión Kelvin GND dedicada) con compensación de temperatura integrada logra una precisión de detección de corriente superior en comparación con los métodos de detección DCR del inductor.

Encapsulado PQFN sobremoldeado de 5 x 6 x 0,9 mm³ pequeño, 0,45 mm de paso