onsemi AEC-Q100 Módulo controlador de puerta Driver de puerta aislada NCV51752CBDR2G 9 A 1 SOIC-8 NB 8 pines 30V
- Código RS:
- 277-031
- Referência do fabricante:
- NCV51752CBDR2G
- Fabricante:
- onsemi
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*preço indicativo
- Código RS:
- 277-031
- Referência do fabricante:
- NCV51752CBDR2G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Módulo controlador de puerta | |
| Corriente de Salida | 9A | |
| Número de pines | 8 | |
| Tiempo de caída | 8.3ns | |
| Encapsulado | SOIC-8 NB | |
| Tipo de unidad | Driver de puerta aislada | |
| Número de Salidas | 1 | |
| Tiempo de subida | 22ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 6.5V | |
| Número de drivers | 1 | |
| Tensión de alimentación máxima | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.2mm | |
| Serie | NCV51752 | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.75mm | |
| Certificaciones y estándares | UL1577, SGS FIMO IEC 62386-1, CQC GB4943.1-2011 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Módulo controlador de puerta | ||
Corriente de Salida 9A | ||
Número de pines 8 | ||
Tiempo de caída 8.3ns | ||
Encapsulado SOIC-8 NB | ||
Tipo de unidad Driver de puerta aislada | ||
Número de Salidas 1 | ||
Tiempo de subida 22ns | ||
Tensión de alimentación mínima 6.5V | ||
Número de drivers 1 | ||
Tensión de alimentación máxima 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.2mm | ||
Serie NCV51752 | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.75mm | ||
Certificaciones y estándares UL1577, SGS FIMO IEC 62386-1, CQC GB4943.1-2011 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
- COO (País de Origem):
- PH
El controlador de puerta monocanal aislado de ON Semiconductor está diseñado para la conmutación rápida de MOSFET de potencia y conmutadores de potencia MOSFET de SiC. Ofrece retardos de propagación cortos y emparejados, alta inmunidad dV/dt y la capacidad de generar un carril de polarización negativa para una desconexión más rápida. Disponible en un compacto encapsulado SOIC-8 de 4 mm, admite una tensión de aislamiento de hasta 3,75 kVRMS, lo que garantiza una mayor fiabilidad.
CMTI mínimo de 200 V/ns dV/dt
Capacidad de manejo de 5 V negativos en los pines de entrada
Retardo de propagación típico 36 ns con 5 ns máx. de adaptación de retardo
Certificación AEC Q100 para aplicaciones de automoción
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