ROHM FET de GaN 11 A 1 8 pines 650V

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal 20 unidades (fornecido em tira contínua)*

133,10 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 80 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
20 - 1986,655 €
200 +6,14 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
264-698P
Referência do fabricante:
GNP1150TCA-ZE2
Fabricante:
ROHM
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

ROHM

Tipo de producto

FET de GaN

Corriente de Salida

11A

Número de pines

8

Tiempo de caída

8.3ns

Tiempo de subida

5.3ns

Número de drivers

1

Tensión de alimentación máxima

650V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

8mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

0.9mm

Serie

GNP1150TCA-Z NA

Tipo de montaje

Superficie

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
TW
El FET de nitruro de galio (GaN) en modo E de ROHM es un HEMT de GaN de 650 V que ha alcanzado la clase FOM más alta del sector (Ron Ciss Ron Coss). Es un producto de la serie EcoGaN que contribuye a la eficiencia de la conversión de potencia y a la reducción del tamaño aprovechando al máximo la baja resistencia ON y la conmutación de alta velocidad. La función de protección ESD está integrada para un diseño de alta fiabilidad. Además, los paquetes de gran versatilidad proporcionan una excelente disipación del calor y facilitan el montaje.

fET de GaN en modo E de 650 V

70mΩ Resistencia

5,2nC Carga de puerta

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.