STMicroelectronics Módulo controlador de puerta Lado Alto L6387ED013TR 650 mA 2 SO-8 8 pines 17 V
- Código RS:
- 152-015P
- Referência do fabricante:
- L6387ED013TR
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 50 - 95 | 1,202 € |
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| 500 - 995 | 1,14 € |
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- Código RS:
- 152-015P
- Referência do fabricante:
- L6387ED013TR
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | Módulo controlador de puerta | |
| Corriente de Salida | 650mA | |
| Número de pines | 8 | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tiempo de caída | 30ns | |
| Tipo de unidad | Lado Alto | |
| Tiempo de subida | 50ns | |
| Tensión de alimentación mínima | 17V | |
| Número de drivers | 2 | |
| Tensión de alimentación máxima | 17V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -50°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Serie | L6387ED013TR | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto Módulo controlador de puerta | ||
Corriente de Salida 650mA | ||
Número de pines 8 | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tiempo de caída 30ns | ||
Tipo de unidad Lado Alto | ||
Tiempo de subida 50ns | ||
Tensión de alimentación mínima 17V | ||
Número de drivers 2 | ||
Tensión de alimentación máxima 17V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -50°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Serie L6387ED013TR | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El controlador de puerta de alta tensión sencillo y compacto de STMicroelectronics, fabricado con la tecnología BCD "fuera de línea" y capaz de accionar un medio puente de dispositivos MOSFET de potencia o IGBT. La sección de lado alto (flotante) está habilitada para trabajar con carril de tensión de hasta 600 V. Ambas salidas de dispositivo pueden sumergir de manera independiente y generar 650 mA y 400 mA respectivamente y no pueden accionarse simultáneamente en alto gracias a una función de bloqueo integrada.
Diodo de arranque interno
Salidas en fase con entradas
Función de enclavamiento