Chip de disipación térmica Vishay de Aluminio, 4°C/W 0.8 mm, para usar con Filtros, diodos de contacto y láser, fuentes
- Código RS:
- 230-1356
- Referência do fabricante:
- THJP1225AST1
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 230-1356
- Referência do fabricante:
- THJP1225AST1
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | Chip de disipación térmica | |
| Para usar con | Filtros, diodos de contacto y láser, fuentes de alimentación y convertidores, amplificadores RF, fuentes de alimentación de modo conmutado, sintetizadores | |
| Longitud | 3.2mm | |
| Anchura | 6.4mm | |
| Altura | 0.8mm | |
| Fijación | Montaje superficial | |
| Resistencia térmica | 4°C/W | |
| Envase compatible | SMD 1225 | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Material | Aluminio | |
| Aplicación | Térmico, Alta Frecuencia | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto Chip de disipación térmica | ||
Para usar con Filtros, diodos de contacto y láser, fuentes de alimentación y convertidores, amplificadores RF, fuentes de alimentación de modo conmutado, sintetizadores | ||
Longitud 3.2mm | ||
Anchura 6.4mm | ||
Altura 0.8mm | ||
Fijación Montaje superficial | ||
Resistencia térmica 4°C/W | ||
Envase compatible SMD 1225 | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Material Aluminio | ||
Aplicación Térmico, Alta Frecuencia | ||
Los chips de montaje en superficie Vishay THJP están diseñados para proporcionar una ruta de conducción térmica aislada eléctricamente a un plano de tierra o disipador de calor al tiempo que mantiene el aislamiento eléctrico del dispositivo. Los dispositivos están construidos con sustratos de nitruro de aluminio en estilos de terminación envolvente sin plomo y SnPb. La baja capacitancia del dispositivo los convierte en una excelente elección para aplicaciones de escalera térmica y alta frecuencia. Tamaños personalizados disponibles.
Conductor térmico aislado eléctricamente
Sustrato de ALN de alta conductividad térmica (170 W/Mk)
Terminaciones aisladas eléctricamente (> 999 MΩ)
Baja capacitancia
Disponible con terminaciones de arrollamiento sin plomo (Pb) o SnPb
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