Disco duro SSD MTE710T-I Interno M.2 (2280) Transcend, 3D TLC Sí
- Código RS:
- 262-9699
- Referência do fabricante:
- TS1TMTE710T-I
- Fabricante:
- Transcend
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- Código RS:
- 262-9699
- Referência do fabricante:
- TS1TMTE710T-I
- Fabricante:
- Transcend
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Transcend | |
| Tipo de producto | Disco duro SSD | |
| Número de modelo | MTE710T-I | |
| Interno/externo | Interno | |
| Factor de forma | M.2 (2280) | |
| Grado industrial | Sí | |
| Tipo de NAND Flash | 3D TLC | |
| Tipo de interfaz | NVMe PCIe Gen 4 x4 | |
| Autodestrucción | No | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Altura | 3.58mm | |
| Anchura | 22mm | |
| Longitud | 80mm | |
| Certificaciones y estándares | NVM Express specification 1.4, RoHS 2.0 standards | |
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|---|---|---|
Marca Transcend | ||
Tipo de producto Disco duro SSD | ||
Número de modelo MTE710T-I | ||
Interno/externo Interno | ||
Factor de forma M.2 (2280) | ||
Grado industrial Sí | ||
Tipo de NAND Flash 3D TLC | ||
Tipo de interfaz NVMe PCIe Gen 4 x4 | ||
Autodestrucción No | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Altura 3.58mm | ||
Anchura 22mm | ||
Longitud 80mm | ||
Certificaciones y estándares NVM Express specification 1.4, RoHS 2.0 standards | ||
Estado RoHS: Não aplicável
Transcend SSD Disco Duro, 1TB Capacidad, NVMe PCIe Gen 4 x 4 Interfaz - TS1TMTE710T-I
Esta unidad de estado sólido ofrece soluciones de almacenamiento de alto rendimiento con una capacidad de 1 TB. Diseñada en el compacto factor de forma M.2 2280, encaja a la perfección en diversos dispositivos informáticos al tiempo que garantiza eficiencia y velocidad. Con una arquitectura interna lo suficientemente robusta para aplicaciones industriales, garantiza la fiabilidad en entornos exigentes.
Características y ventajas
• La interfaz PCIe Gen 4 x4 permite transferencias de datos ultrarrápidas
• Utiliza la tecnología 3D TLC NAND de 112 capas para una mayor eficiencia de almacenamiento
• La memoria caché DRAM DDR4 integrada mejora la velocidad y los tiempos de acceso
• El amplio rango de temperaturas de -40 °C a 85 °C garantiza la fiabilidad en condiciones adversas
• El estrangulamiento térmico dinámico protege contra el sobrecalentamiento durante operaciones intensivas
Aplicaciones
• Se utiliza para el procesamiento de datos a alta velocidad en sistemas de automatización
• Adecuado para soluciones integradas en electrónica industrial
• Aplicable en sistemas mecánicos que requieren soluciones de almacenamiento resistentes
• Ideal para campos de ingeniería eléctrica que requieren una recuperación de datos fiable
¿Qué significa la tecnología NAND 3D de 112 capas?
La tecnología NAND 3D de 112 capas aumenta la densidad de almacenamiento, lo que se traduce en una mejora de la eficiencia y el rendimiento, al tiempo que admite operaciones de lectura/escritura más rápidas en comparación con los diseños de capas tradicionales.
¿Cómo afecta al rendimiento la interfaz PCIe Gen 4 x4?
Esta interfaz permite velocidades de transferencia de datos significativamente mayores, alcanzando hasta 3.800 MB/s en lectura y 3.200 MB/s en escritura, lo que beneficia enormemente a los usuarios que necesitan acceder rápidamente a archivos de gran tamaño.
¿Qué factores ambientales puede soportar esta unidad?
Este accionamiento está diseñado para funcionar a temperaturas extremas que oscilan entre -40 °C y 85 °C, por lo que es adecuado para su uso tanto en entornos estándar como industriales en los que las fluctuaciones de temperatura son habituales.
¿Cómo influye la caché DRAM en la eficiencia general de la unidad?
La memoria caché DRAM DDR4 integrada acelera el acceso a los datos, permitiendo procesos de lectura/escritura más rápidos y reduciendo así la latencia durante tareas intensivas como el análisis de datos o la ejecución de programas.
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