Disco duro SSD Interno M.2 512 Gb Transcend, Cifrado AES de 256 bits, 3D Sí
- Código RS:
- 683-117
- Referência do fabricante:
- TS512GMTE760T-I
- Fabricante:
- Transcend
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- 683-117
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Transcend | |
| Tipo Sub | Disco duro SSD | |
| Tipo de producto | Disco duro SSD | |
| Tamaño de la memoria | 512Gb | |
| Interno/externo | Interno | |
| Factor de forma | M.2 | |
| Grado industrial | Sí | |
| Tipo de NAND Flash | 3D | |
| Tipo de interfaz | NVMe PCIe Gen 4 x4 | |
| Nivel de cifrado | Cifrado AES de 256 bits | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Anchura | 22mm | |
| Altura | 2.23mm | |
| Longitud | 80mm | |
| Certificaciones y estándares | UKCA | |
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|---|---|---|
Marca Transcend | ||
Tipo Sub Disco duro SSD | ||
Tipo de producto Disco duro SSD | ||
Tamaño de la memoria 512Gb | ||
Interno/externo Interno | ||
Factor de forma M.2 | ||
Grado industrial Sí | ||
Tipo de NAND Flash 3D | ||
Tipo de interfaz NVMe PCIe Gen 4 x4 | ||
Nivel de cifrado Cifrado AES de 256 bits | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Anchura 22mm | ||
Altura 2.23mm | ||
Longitud 80mm | ||
Certificaciones y estándares UKCA | ||
- COO (País de Origem):
- TW
SSD Transcend, capacidad de 512 GB, interfaz NVMe PCIe Gen 4 x4 - TS512GMTE760T-I
Esta unidad SSD es una unidad de estado sólido interna diseñada para aplicaciones industriales que requieren un almacenamiento compacto y de alta velocidad. Se conecta a través de una interfaz PCIe NVMe Gen4 x4 y proporciona una capacidad de 512 GB mediante NAND 3D, lo que permite un rendimiento de datos rápido para equipos de automatización y electrónica que funcionan en amplios rangos de temperaturas.
Características y ventajas:
• La interfaz NVMe PCIe Gen4 x4 proporciona mayor ancho de banda y rendimiento
• El cifrado AES de 256 bits protege los datos almacenados a nivel de hardware
• La estructura de grado industrial tolera condiciones de funcionamiento extremas
• El rango de funcionamiento de -40 °C a 85 °C admite entornos exigentes
• La homologación UKCA garantiza la conformidad con los estándares de mercado aplicables
• El cifrado AES de 256 bits protege los datos almacenados a nivel de hardware
• La estructura de grado industrial tolera condiciones de funcionamiento extremas
• El rango de funcionamiento de -40 °C a 85 °C admite entornos exigentes
• La homologación UKCA garantiza la conformidad con los estándares de mercado aplicables
Aplicaciones
• Apto para controladores industriales y expansión de almacenamiento de PLC
• Ideal para sistemas integrados en unidades de distribución eléctrica
• Se utiliza con registradores de datos en zonas de fabricación de alta temperatura
• Se puede utilizar para almacenamiento en caché de alta velocidad en plataformas de prueba mecánicas
• Ideal para sistemas integrados en unidades de distribución eléctrica
• Se utiliza con registradores de datos en zonas de fabricación de alta temperatura
• Se puede utilizar para almacenamiento en caché de alta velocidad en plataformas de prueba mecánicas
¿Qué factor de forma debo esperar para la integración en placas Compact?
Utiliza un factor de forma M.2 en el tamaño 2280 con una longitud de 80 mm y una altura de 2,23 mm para PCB con espacio limitado.
¿Cómo gestiona el accionamiento la tensión térmica elevada durante el funcionamiento continuo?
El dispositivo está especificado para funcionar hasta 85 °C, indicando componentes y tolerancia térmica adecuados para cargas de trabajo prolongadas a altas temperaturas.
¿Es adecuado el accionamiento para necesidades de almacenamiento seguro en sistemas de control?
Sí, implementa cifrado AES de 256 bits para proporcionar confidencialidad a nivel de hardware para datos sensibles integrados.
¿Qué tecnología NAND contribuye a la resistencia y la densidad?
La unidad emplea NAND 3D, lo que ofrece una mayor densidad de almacenamiento y características de resistencia en comparación con NAND Planar.
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