ROHM Diodo simple PBZLTBR168 150 °C 1000 mW 5 μA 230 Ω -55 °C Superficie 68 V 1 DO-214AA 2 pines Diodo zener 2 mA Plano
- Código RS:
- 780-641P
- Referência do fabricante:
- PBZLTBR168
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 780-641P
- Referência do fabricante:
- PBZLTBR168
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tensión Zener Vz | 68V | |
| Configuración de diodo | Diodo simple | |
| Tipo de producto | Diodo zener | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1000mW | |
| Encapsulado | DO-214AA | |
| Tipo de Zener | Plano de silicio | |
| Número de pines | 2 | |
| Corriente de prueba lt | 2mA | |
| Impedancia Zener máxima | 230Ω | |
| Corriente de fugas inversa máxima | 5μA | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 4.7mm | |
| Serie | PBZL Series | |
| Anchura | 3.94mm | |
| Altura | 2.45mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tensión Zener Vz 68V | ||
Configuración de diodo Diodo simple | ||
Tipo de producto Diodo zener | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1000mW | ||
Encapsulado DO-214AA | ||
Tipo de Zener Plano de silicio | ||
Número de pines 2 | ||
Corriente de prueba lt 2mA | ||
Impedancia Zener máxima 230Ω | ||
Corriente de fugas inversa máxima 5μA | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 4.7mm | ||
Serie PBZL Series | ||
Anchura 3.94mm | ||
Altura 2.45mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diodo Zener de ROHM proporciona una regulación de tensión fiable, manteniendo una salida estable incluso en condiciones fluctuantes. Este componente es VITAL para circuitos electrónicos que requieren niveles de tensión constantes.
La alta fiabilidad garantiza un rendimiento a largo plazo en diversas aplicaciones
El diseño de tipo moldeado de potencia pequeña facilita la integración compacta en dispositivos
La capacidad de disipación de potencia de 1000 mW admite operaciones robustas
La temperatura nominal de la unión de 150 °C permite un margen operativo ampliado