onsemi AEC-Q101 Arrestor de protección ESD Unidireccional 4, NUP4114UCLW1T2G, US, 6 pines
- Código RS:
- 802-1746
- Referência do fabricante:
- NUP4114UCLW1T2G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 802-1746
- Referência do fabricante:
- NUP4114UCLW1T2G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Configuración de diodo | Matriz compleja | |
| Tipo de producto | Arrestor de protección ESD | |
| Tipo de dirección | Unidireccional | |
| Tensión mínima de ruptura Vbr | 5.5V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | US | |
| Tensión de corte inversa máxima Vwm | 5.5V | |
| Número de pines | 6 | |
| Tensión de sujeción VC | 9V | |
| Corriente de prueba lt | 1mA | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Corriente de pico de pulsos máxima lppm | 12A | |
| Protección contra descarga electrostática ESD | Sí | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Número de elementos por chip | 4 | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.35mm | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Corriente de fugas inversa máxima | 1μA | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Configuración de diodo Matriz compleja | ||
Tipo de producto Arrestor de protección ESD | ||
Tipo de dirección Unidireccional | ||
Tensión mínima de ruptura Vbr 5.5V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado US | ||
Tensión de corte inversa máxima Vwm 5.5V | ||
Número de pines 6 | ||
Tensión de sujeción VC 9V | ||
Corriente de prueba lt 1mA | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Corriente de pico de pulsos máxima lppm 12A | ||
Protección contra descarga electrostática ESD Sí | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Número de elementos por chip 4 | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.35mm | ||
Longitud 2.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Corriente de fugas inversa máxima 1μA | ||
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