DiodesZetex AEC-Q101 Array de diodo TVS 4, DT1240H-04LP-7, 52 W, UDFN-2510-10, 10 pines
- Código RS:
- 246-7569
- Referência do fabricante:
- DT1240H-04LP-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 246-7569
- Referência do fabricante:
- DT1240H-04LP-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | Array de diodo TVS | |
| Tensión mínima de ruptura Vbr | 5V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | UDFN-2510-10 | |
| Número de pines | 10 | |
| Disipación de potencia de pico de pulso Pppm | 52W | |
| Tensión de sujeción VC | 7.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Corriente de pico de pulsos máxima lppm | 5.5A | |
| Protección contra descarga electrostática ESD | Sí | |
| Número de elementos por chip | 4 | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | UL, RoHS, ISO, EC 61000-4-2 | |
| Anchura | 1mm | |
| Altura | 0.58mm | |
| Longitud | 2.5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Corriente de fugas inversa máxima | 1μA | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto Array de diodo TVS | ||
Tensión mínima de ruptura Vbr 5V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado UDFN-2510-10 | ||
Número de pines 10 | ||
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm 52W | ||
Tensión de sujeción VC 7.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Corriente de pico de pulsos máxima lppm 5.5A | ||
Protección contra descarga electrostática ESD Sí | ||
Número de elementos por chip 4 | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares UL, RoHS, ISO, EC 61000-4-2 | ||
Anchura 1mm | ||
Altura 0.58mm | ||
Longitud 2.5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Corriente de fugas inversa máxima 1μA | ||
El DiodesZetex DT1240A es un dispositivo de alto rendimiento adecuado para proteger cuatro E/S de alta velocidad. Estos dispositivos se montan en encapsulados U-DFN2510-10 y U-DFN2510-10 (tipo CJ) y tienen alta capacidad de transitorios ESD y baja capacitancia.
Tensión de fijación de 7,5 V a 10 A 100 ns, TLP 8,2 V a 5,5 A (8 μs/20 μs) 4 canales de protección ESD Capacidad de entrada de canal baja de 0,55 pF (típica) Resistencia dinámica TLP de 0,2 Ω
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