DiodesZetex AEC-Q101 Array de diodo TVS 4, 350 W, UDFN-2510-10, 10 pines
- Código RS:
- 246-6707
- Referência do fabricante:
- D3V3XA4B10LP-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 246-6707
- Referência do fabricante:
- D3V3XA4B10LP-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | Array de diodo TVS | |
| Tensión mínima de ruptura Vbr | 6V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | UDFN-2510-10 | |
| Número de pines | 10 | |
| Disipación de potencia de pico de pulso Pppm | 350W | |
| Tensión de sujeción VC | 9.4V | |
| Corriente de pico de pulsos máxima lppm | 4A | |
| Protección contra descarga electrostática ESD | Sí | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Número de elementos por chip | 4 | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | EC 61000-4-2, ISO, RoHS, UL | |
| Anchura | 1mm | |
| Altura | 2.5mm | |
| Longitud | 0.58mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Corriente de fugas inversa máxima | 1μA | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto Array de diodo TVS | ||
Tensión mínima de ruptura Vbr 6V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado UDFN-2510-10 | ||
Número de pines 10 | ||
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm 350W | ||
Tensión de sujeción VC 9.4V | ||
Corriente de pico de pulsos máxima lppm 4A | ||
Protección contra descarga electrostática ESD Sí | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Número de elementos por chip 4 | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares EC 61000-4-2, ISO, RoHS, UL | ||
Anchura 1mm | ||
Altura 2.5mm | ||
Longitud 0.58mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Corriente de fugas inversa máxima 1μA | ||
DiodesZetex produce un dispositivo de conjunto de diodos TVS de 4 canales y baja capacitancia de alto rendimiento adecuado para proteger cuatro E/S de alta velocidad. Este dispositivo se monta en encapsulados UDFN2510-10 y U-DFN2510-10 (tipo CJ) y tiene alta capacidad de transitorios ESD, baja tensión de sujeción ESD y capacitancia ultrabaja. El encapsulado del dispositivo es completamente libre de plomo, halógenos y antimonio. La temperatura de funcionamiento de este dispositivo es de -55 °C a 150 °C.
El dispositivo tiene una tensión de sujeción de 9,4 V a 16 A TLP. El dispositivo ofrece 4 canales de protección ESD. Tiene una capacitancia de entrada de canal ultrabaja de 0,35 pF máximo. Tiene resistencia dinámica TLP de 0,39 Ω
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