STMicroelectronics Arrestor de protección ESD Bidireccional 1, 300 kW, QFN, 6 pines
- Código RS:
- 209-7617P
- Referência do fabricante:
- HSP031-1BM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 209-7617P
- Referência do fabricante:
- HSP031-1BM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Configuración de diodo | Conjunto | |
| Tipo de dirección | Bidireccional | |
| Tipo de producto | Arrestor de protección ESD | |
| Tensión mínima de ruptura Vbr | 3.3V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | QFN | |
| Número de pines | 6 | |
| Disipación de potencia de pico de pulso Pppm | 300kW | |
| Tensión de sujeción VC | 7V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Corriente de pico de pulsos máxima lppm | 10A | |
| Protección contra descarga electrostática ESD | Sí | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 1.65mm | |
| Anchura | 1.05mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.55mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Corriente de fugas inversa máxima | 50nA | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Configuración de diodo Conjunto | ||
Tipo de dirección Bidireccional | ||
Tipo de producto Arrestor de protección ESD | ||
Tensión mínima de ruptura Vbr 3.3V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado QFN | ||
Número de pines 6 | ||
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm 300kW | ||
Tensión de sujeción VC 7V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Corriente de pico de pulsos máxima lppm 10A | ||
Protección contra descarga electrostática ESD Sí | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 1.65mm | ||
Anchura 1.05mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.55mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Corriente de fugas inversa máxima 50nA | ||
STMicroelectronics HSP031-1BM6 es una matriz ESD de un canal con una arquitectura de carril a carril diseñada para proteger 2 líneas diferenciales contra sobretensión causada por ESD, transitorios (8/20 μs). Encapsulado en QFN-6L, El dispositivo está diseñado específicamente para la protección de líneas diferenciales de alta velocidad como Ethernet de 10 Gbps.
Alto nivel de protección contra ESD que excede IEC 61000-4-2 nivel 4:
±30kV (descarga de contacto)
±30kV (descarga de aire)
Alta capacidad de transitorios IEC 61000-4-5 de 10 A.
Resistencia dinámica muy baja: 0,25 ohmios
Baja capacitancia: 0,7 pF