onsemi AEC-Q101 Diodo TVS Unidireccional 2, 300 W, SOT-23, 3 pines
- Código RS:
- 184-1094
- Referência do fabricante:
- SM05T1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 184-1094
- Referência do fabricante:
- SM05T1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Configuración de diodo | Ánodo común | |
| Tipo de producto | Diodo TVS | |
| Tipo de dirección | Unidireccional | |
| Tensión mínima de ruptura Vbr | 6.2V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tensión de corte inversa máxima Vwm | 5V | |
| Número de pines | 3 | |
| Disipación de potencia de pico de pulso Pppm | 300W | |
| Corriente de pico de pulsos máxima lppm | 17A | |
| Protección contra descarga electrostática ESD | Sí | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión de sujeción VC | 9.8V | |
| Corriente de prueba lt | 1mA | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.01mm | |
| Anchura | 1.4mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Corriente de fugas inversa máxima | 10μA | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Configuración de diodo Ánodo común | ||
Tipo de producto Diodo TVS | ||
Tipo de dirección Unidireccional | ||
Tensión mínima de ruptura Vbr 6.2V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tensión de corte inversa máxima Vwm 5V | ||
Número de pines 3 | ||
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm 300W | ||
Corriente de pico de pulsos máxima lppm 17A | ||
Protección contra descarga electrostática ESD Sí | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión de sujeción VC 9.8V | ||
Corriente de prueba lt 1mA | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.01mm | ||
Anchura 1.4mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Corriente de fugas inversa máxima 10μA | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
These dual monolithic silicon diodes are designed for applications requiring protection capability. They are intended for use in voltage and ESD sensitive equipment such as computers, printers, business machines, communication systems, medical equipment and other applications. Their dual junction common anode design protects two separate lines using only one package. These devices are ideal for situations where board space is at a premium.
SOT–23 Package Allows Either Two Separate Unidirectional Configurations or a Single Bidirectional Configuration
Working Peak Reverse Voltage 5 V
Standard Zener Breakdown Voltage Range 6.2 V to 7.3 V
Peak Power – 300 Watt (8 X 20 μs)
Low Leakage
Mechanical Characteristics:
CASE: Void-free, transfer-molded, thermosetting plastic case
FINISH: Corrosion resistant finish, easily solderable
MAXIMUM CASE TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES: 260 °C for 10 Seconds
Package designed for optimal automated board assembly
Small package size for high density applications. Available in 8 mm Tape and Reel.
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