onsemi AEC-Q101 Diodo TVS Unidireccional 2, 40 W, SOT-23, 3 pines
- Código RS:
- 145-4699
- Referência do fabricante:
- MMBZ27VALT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 145-4699
- Referência do fabricante:
- MMBZ27VALT1G
- Fabricante:
- onsemi
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de dirección | Unidireccional | |
| Tipo de producto | Diodo TVS | |
| Configuración de diodo | Ánodo común | |
| Tensión mínima de ruptura Vbr | 25.65V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tensión de corte inversa máxima Vwm | 22V | |
| Número de pines | 3 | |
| Disipación de potencia de pico de pulso Pppm | 40W | |
| Corriente de pico de pulsos máxima lppm | 1A | |
| Corriente de prueba lt | 1mA | |
| Tensión de sujeción VC | 40V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Protección contra descarga electrostática ESD | Sí | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | MMBZ A | |
| Anchura | 1.3mm | |
| Altura | 0.94mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Corriente de fugas inversa máxima | 50nA | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de dirección Unidireccional | ||
Tipo de producto Diodo TVS | ||
Configuración de diodo Ánodo común | ||
Tensión mínima de ruptura Vbr 25.65V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tensión de corte inversa máxima Vwm 22V | ||
Número de pines 3 | ||
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm 40W | ||
Corriente de pico de pulsos máxima lppm 1A | ||
Corriente de prueba lt 1mA | ||
Tensión de sujeción VC 40V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Protección contra descarga electrostática ESD Sí | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Longitud 2.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie MMBZ A | ||
Anchura 1.3mm | ||
Altura 0.94mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Corriente de fugas inversa máxima 50nA | ||
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