onsemi Diodo de protección ESD 1, ESD7351XV2T1G, 150 mW, SOD-523, 2 pines
- Código RS:
- 838-610
- Referência do fabricante:
- ESD7351XV2T1G
- Fabricante:
- onsemi
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*preço indicativo
- Código RS:
- 838-610
- Referência do fabricante:
- ESD7351XV2T1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | Diodo de protección ESD | |
| Tensión mínima de ruptura Vbr | 5V | |
| Encapsulado | SOD-523 | |
| Tensión de corte inversa máxima Vwm | 3.3V | |
| Número de pines | 2 | |
| Disipación de potencia de pico de pulso Pppm | 150mW | |
| Tensión de sujeción VC | 10V | |
| Corriente de pico de pulsos máxima lppm | 20A | |
| Corriente de prueba lt | 1mA | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 600μm | |
| Longitud | 1.2mm | |
| Serie | ESD7351 | |
| Anchura | 800μm | |
| Corriente de fugas inversa máxima | 50nA | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto Diodo de protección ESD | ||
Tensión mínima de ruptura Vbr 5V | ||
Encapsulado SOD-523 | ||
Tensión de corte inversa máxima Vwm 3.3V | ||
Número de pines 2 | ||
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm 150mW | ||
Tensión de sujeción VC 10V | ||
Corriente de pico de pulsos máxima lppm 20A | ||
Corriente de prueba lt 1mA | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 600μm | ||
Longitud 1.2mm | ||
Serie ESD7351 | ||
Anchura 800μm | ||
Corriente de fugas inversa máxima 50nA | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El diodo de protección ESD de onsemi está diseñado para proteger los componentes sensibles contra eventos de descarga electrostática, lo que garantiza la fiabilidad en aplicaciones de alta velocidad sin comprometer el espacio de la placa.
Proporciona una baja capacitancia de 0,6 pF máximo para un impacto mínimo en la integridad de la señal
Proporciona baja tensión de sujeción para proteger de manera eficiente contra corrientes de pico
Dispone de una tensión de separación de 3,3 V, adecuada para varios diseños electrónicos
Muestra un tiempo de respuesta rápido de menos de 1 ns para mitigar eficazmente los ESD
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