Diodo Láser 159353940B1300 VCSEL Wurth Elektronik, λ 950 nm, 6600 mW, Superficie
- Código RS:
- 238-5933
- Número do artigo Distrelec:
- 303-93-945
- Referência do fabricante:
- 159353940B1300
- Fabricante:
- Wurth Elektronik
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- Código RS:
- 238-5933
- Número do artigo Distrelec:
- 303-93-945
- Referência do fabricante:
- 159353940B1300
- Fabricante:
- Wurth Elektronik
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Wurth Elektronik | |
| Longitud de onda máxima | 950nm | |
| Tipo de producto | Diodo Láser | |
| Tipo de láser | VCSEL | |
| Potencia óptica de salida | 6600mW | |
| Embalaje y empaquetado | Cinta y carrete | |
| Número de pines | 4 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Corriente máxima | 5000mA | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -20°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 85°C | |
| Longitud | 3.5mm | |
| Altura | 1.77mm | |
| Certificaciones y estándares | REACh Approval Conform or declared ((EC)1907/2006), RoHS Approval (2011/65/EU&2015/863) | |
| Anchura | 3mm | |
| Tensión inversa | 1000V | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Wurth Elektronik | ||
Longitud de onda máxima 950nm | ||
Tipo de producto Diodo Láser | ||
Tipo de láser VCSEL | ||
Potencia óptica de salida 6600mW | ||
Embalaje y empaquetado Cinta y carrete | ||
Número de pines 4 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Corriente máxima 5000mA | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -20°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 85°C | ||
Longitud 3.5mm | ||
Altura 1.77mm | ||
Certificaciones y estándares REACh Approval Conform or declared ((EC)1907/2006), RoHS Approval (2011/65/EU&2015/863) | ||
Anchura 3mm | ||
Tensión inversa 1000V | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- TW
El láser de emisión de superficie de cavidad vertical Wurth Elektronik tiene una corriente directa continua de 3000mA mA. Tiene un tipo de lente difusa y color de emisión de infrarrojos.
Luz de alta intensidad
Tecnología de chip AlGaAs
Temperatura de funcionamiento de -20 °C a +85 °C.
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