STMicroelectronics AEC-Q101 Diodo Schottky Simple, STPSC30G065G2Y, 30 A, H2PAK 650 V, 2 pines
- Código RS:
- 800-470
- Referência do fabricante:
- STPSC30G065G2Y
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 800-470
- Referência do fabricante:
- STPSC30G065G2Y
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Configuración de diodo | Simple | |
| Corriente directa máxima lf | 30A | |
| Tipo de producto | Diodo Schottky | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo Sub | Diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) | |
| Encapsulado | H2PAK | |
| Número de pines | 2 | |
| Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm | 650V | |
| Pico de corriente directa no repetitiva lfsm | 200A | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa máxima Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | ECOPACK2 | |
| Serie | STPSC30G065G2Y | |
| Diámetro | 3.85mm | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Altura | 15.8mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Configuración de diodo Simple | ||
Corriente directa máxima lf 30A | ||
Tipo de producto Diodo Schottky | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo Sub Diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) | ||
Encapsulado H2PAK | ||
Número de pines 2 | ||
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm 650V | ||
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm 200A | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa máxima Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares ECOPACK2 | ||
Serie STPSC30G065G2Y | ||
Diámetro 3.85mm | ||
Anchura 4.7mm | ||
Altura 15.8mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Rectificador Schottky de potencia de alto rendimiento de STMicroelectronics. Se fabrica utilizando un sustrato de carburo de silicio. El material de separación de banda ancha permite el diseño de una estructura de diodo Schottky de VF baja con un valor nominal de 650 V.
Cualificado AEC-Q101 y apto para PPAP
Sin carga de recuperación inversa en el rango de corriente de la aplicación
Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
Alta capacidad de sobretensión hacia delante
Tj de funcionamiento de -55 °C a +175 °C
ECOPACK2: certificación de componente conforme a RoHS
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