Microchip Dispositivo lógico programable complejo 16V8 8 celdas, 18 I/O, 8 bloques, 10 ns Sí PLCC 20 pines

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Código RS:
177-1687
Número do artigo Distrelec:
304-30-577
Referência do fabricante:
ATF16V8B-10JU
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de producto

Dispositivo lógico programable complejo

Serie

16V8

Número de macrocélulas

8

Número de E/S de usuario

18

Tiempo de retardo de propagación máximo

10ns

Número de bloques/elementos lógicos

8

Programación del sistema

Sí

Tipo de montaje

Superficie

Encapsulado

PLCC

Temperatura de funcionamiento máxima

85°C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de alimentación mínima

4.5V

Número de pines

20

Tensión de alimentación máxima

5.5V

Control de activación de salida individual

Sí

Anchura

9.04 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

9.04mm

Altura

4.06mm

Estándar de automoción

No

Soporte de reprogramación

Sí

El Atmel ATF16V8B(QL) es un dispositivo lógico programable eléctricamente borrable (EE PLD) CMOS de alto rendimiento que utiliza la tecnología de memoria flash eléctricamente borrable de Atmel. Todos los rangos de velocidad están especificados en el rango completo de 5,0 V 10 % para el rango de temperatura industrial. El dispositivo ATF16V8BQL proporciona una solución PLD de baja potencia con una detección óptima y con un consumo de energía en espera bajo (5 mA típ.). El ATF16V8BQL pasa a funcionar automáticamente en el modo de baja potencia gracias al circuito de detección de transición de entrada (ITD) cuando el dispositivo está inactivo.

Características:

Arquitectura estándar de la industria

Emula diversas PAL® de 20 contactos

Herramientas de software de bajo coste y fáciles de utilizar

Dispositivos lógicos programables eléctricamente borrables de alta velocidad

Retardo máximo contacto a contacto de 10 ns

Corriente en espera automática de 5 mA para ATF16V8BQL

Entradas y salidas compatibles con TTL y CMOS

Entrada y resistencias pull-up de E/S

Tecnología flash avanzada

Reprogramable

100 % probado

Proceso CMOS de alta fiabilidad

Retención de datos de 20 años

100 de ciclos de borrado/escritura

Protección ESD de 2.000 V

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