Circuito de encendido de RF BGSX22G5A10E6327XTSA1, ATSLP-10-50, 10 pines

El interruptor MOS RF Infineon BGSX22G5A10 está diseñado específicamente para aplicaciones de antena múltiple LTE y WCDMA. Este DPDT ofrece una pérdida de inserción baja y una generación de armónicos baja junto con un aislamiento alto entre puertos RF. El interruptor se controla a través de una interfaz GPIO. El controlador en chip permite tensiones de alimentación de 1,65 V a 3,4 V.

Interruptor cruzado de antena DPDT CMOS RF con capacidad de gestión de potencia de hasta 37 dBm
Pérdida de inserción ultrabaja y generación de armónicos
Cobertura de 0,1 a 6,0 GHz
Aislamiento puerto a puerto alto
No se necesitan condensadores de desconexión si no se aplica dc en líneas de RF
Interfaz de entrada-salida (GPIO) de uso general
Factor de forma pequeño: 1,1 mm x 1,5 mm
No requiere bloqueo de fuente de alimentación