- Código RS:
- 186-8175
- Referência do fabricante:
- TIP101G
- Fabricante:
- onsemi
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 186-8175
- Referência do fabricante:
- TIP101G
- Fabricante:
- onsemi
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- CN
Detalhes do produto
The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications. The TIP100, TIP101, TIP102 (NPN), TIP105, TIP106, TIP107 (PNP) are complementary devices.
High DC Current Gain - hFE = 2500 (typ) @ IC = 4.0 mAdc
Collector-Emitter Sustaining Voltage--@ 30 mAdc, VCEO(sus) = 60 Vdc (Min)-TIP100, TIP105, VCEO(sus) = 80 Vdc (Min)-TIP101, TIP106, VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)-TIP102, TIP107
Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC= 3.0 Adc, VCE(sat)= 2.5 Vdc (Max) @ IC= 8.0 Adc
Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
TO-220 AB Compact Package
Pb-Free Packages are Available
Collector-Emitter Sustaining Voltage--@ 30 mAdc, VCEO(sus) = 60 Vdc (Min)-TIP100, TIP105, VCEO(sus) = 80 Vdc (Min)-TIP101, TIP106, VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)-TIP102, TIP107
Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC= 3.0 Adc, VCE(sat)= 2.5 Vdc (Max) @ IC= 8.0 Adc
Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
TO-220 AB Compact Package
Pb-Free Packages are Available
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Transistor | NPN |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 80 V dc |
Tipo de Encapsulado | TO-220 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Disipación de Potencia Máxima | 80 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Emisor-Base | 5 V dc |
Conteo de Pines | 3 |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Dimensiones | 10.53 x 4.83 x 15.75mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |