Transistor bipolar de RF, BFR193E6327HTSA1, NPN 80 mA 12 V SOT-23, 3 pines, 8 GHz, Simple

Código RS:: 823-5538P
Referência do fabricante:: BFR193E6327HTSA1
Fabricante:: Infineon

Transistor bipolar de RF, BFR193E6327HTSA1, NPN 80 mA 12 V SOT-23, 3 pines, 8 GHz, Simple

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Código RS:: 823-5538P
Referência do fabricante:: BFR193E6327HTSA1
Fabricante:: Infineon

BFR193 Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Transistor	NPN
Corriente DC Máxima del Colector	80 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor	12 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima	580 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Base Máxima del Colector	20 V
Tensión Máxima Emisor-Base	2 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento	8 GHz
Conteo de Pines	3
Número de Elementos por Chip	1
Dimensiones	2.9 x 1.3 x 1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C

Transistor bipolar de RF, BFR193E6327HTSA1, NPN 80 mA 12 V SOT-23, 3 pines, 8 GHz, Simple

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Transistores bipolares RF, Infineon