Transistor bipolar de RF, BFP740H6327XTSA1, NPN 45 mA 4,2 V TSFP-4-1

Transistor RF bipolar de banda ancha (HBT) NPN de heterojunción de carbón de germanio de silicio (SiGe:C) de Infineon con protección contra ESD integrada. Se trata de una combinación única de rendimiento RF de gama alta y robustez: potencia de entrada RF máxima de 21 dBm, robustez ESD (HBM) de 2 kV gracias a los circuitos de protección integrados.

NFmin 0,6 dB a 2,4 GHz y 0,8 dB a 5,5 GHz, 3 V, 6 mA
Alta ganancia Gms 26 dB a 2,4 GHz y Gma 20,5 dB a 5,5 GHz, 3 V, 25 mA
OIP3 23,5 dBm a 5,5 GHz, 25 mA
Encapsulado sin plomo de perfil bajo y pequeño factor de forma