Transistor bipolar, AFGHL50T65SQDC, NPN 100 A 650 V TO-247, 3 pines, 1 MHz, Simple

Con la nueva tecnología Field Stop IGBT y SiC SBD, LA nueva serie de IGBT híbridos DE Semiconductor ofrece un rendimiento óptimo para aplicaciones de conmutación difíciles. El dispositivo coempaqueta un IGBT basado en silicio con un diodo de barrera Schottky SiC, lo que da como resultado una excelente compensación entre el menor rendimiento de las soluciones basadas en silicio y el mayor coste de las soluciones basadas totalmente en SiC.

Con código de diodo de barrera schottky SiC
Pérdida de recuperación inversa ultrabaja
Temperatura de conexión máxima: TJ = 175 °C
Mayor fiabilidad
Pérdidas de conducción y conmutación muy bajas
Coeficiente de temperatura positivo
Distribución de parámetros ajustada
Aplicaciones
Automoción
Industrial, inversor
Convertidor dc-dc
Pfc, Totem Pole Bridgeless
Conmutación Dura