Transistor bipolar de RF, BFP842ESDH6327XTSA1, NPN 40 mA 3,25 V SOT-343, 4 pines, 60 GHz, Simple

El BFP842ESD es un HBT (transistor bipolar de heterounión) de altas prestaciones diseñado específicamente para aplicaciones LNA de 2,3 - 3,5 GHz. El dispositivo se basa en la tecnología SiGe:C de alto volumen fiable de Infineon. El BFP842ESD proporciona un ajuste de potencia de entrada inherentemente bueno, así como ajuste de ruido inherentemente bueno a 2,3 y 3,5 GHz. El ajuste de ruido y potencia simultáneo sin componentes de ajuste externos en la entrada permite un bajo número de componentes externos, una cifra de ruido muy buena y una ganancia de transductor alta en la aplicación.

Amplificador de muy bajo ruido robusto basado en la tecnología de Infineon fiable de alto volumen
SiGe:C
Combinación única de alto rendimiento y solidez RF
Alta linealidad
Frecuencia de transición alta
Ganancia de transductor
Ideal para aplicaciones de baja tensión
Bajo consumo de potencia, ideal para aplicaciones móviles
Encapsulado estándar del sector sin halógenos ni plomo fácil de usar con cables visibles