Transistor bipolar de RF, BFP650FH6327XTSA1, NPN 150 mA 13 V TSFP, 4 pines, Simple

Código RS:: 165-8078
Referência do fabricante:: BFP650FH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Transistor bipolar de RF, BFP650FH6327XTSA1, NPN 150 mA 13 V TSFP, 4 pines, Simple

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Código RS:: 165-8078
Referência do fabricante:: BFP650FH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

BFP650F, Linear Low Noise SiGe:C Bipolar RF Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Transistor	NPN
Corriente DC Máxima del Colector	150 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor	13 V
Tipo de Encapsulado	TSFP
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima	500 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Base Máxima del Colector	13 V
Tensión Máxima Emisor-Base	1,2 V
Conteo de Pines	4
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Dimensiones	1.4 x 0.8 x 0.55mm

Transistor bipolar de RF, BFP650FH6327XTSA1, NPN 150 mA 13 V TSFP, 4 pines, Simple

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Transistores bipolares SiGe RF, Infineon