Transistor bipolar de RF, BFR193WH6327XTSA1, NPN 80 mA 12 V SOT-323 (SC-70), 3 pines, 8 GHz, Simple

Código RS:: 165-5621
Referência do fabricante:: BFR193WH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

Transistor bipolar de RF, BFR193WH6327XTSA1, NPN 80 mA 12 V SOT-323 (SC-70), 3 pines, 8 GHz, Simple

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Código RS:: 165-5621
Referência do fabricante:: BFR193WH6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

BFR193W Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Transistor	NPN
Corriente DC Máxima del Colector	80 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor	12 V
Tipo de Encapsulado	SOT-323 (SC-70)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima	580 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Base Máxima del Colector	20 V
Tensión Máxima Emisor-Base	2 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento	8 GHz
Conteo de Pines	3
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Dimensiones	2 x 1.25 x 0.8mm

Transistor bipolar de RF, BFR193WH6327XTSA1, NPN 80 mA 12 V SOT-323 (SC-70), 3 pines, 8 GHz, Simple

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Transistores bipolares RF, Infineon