Transistor bipolar de baja saturación, NSS60600MZ4T1G, PNP -6 A -60 V SOT-223 (SC-73), 3 + Tab pines, 1 MHz, Simple

Código RS:: 162-9606
Referência do fabricante:: NSS60600MZ4T1G
Fabricante:: onsemi

Transistor bipolar de baja saturación, NSS60600MZ4T1G, PNP -6 A -60 V SOT-223 (SC-73), 3 + Tab pines, 1 MHz, Simple

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Código RS:: 162-9606
Referência do fabricante:: NSS60600MZ4T1G
Fabricante:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Transistor	PNP
Corriente DC Máxima del Colector	-6 A
Tensión Máxima Colector-Emisor	-60 V
Tipo de Encapsulado	SOT-223 (SC-73)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima	800 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC	120
Configuración de transistor	Simple
Tensión Base Máxima del Colector	-100 Vdc
Tensión Máxima Emisor-Base	-6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento	1 MHz
Conteo de Pines	3 + Tab
Número de Elementos por Chip	1
Dimensiones	6.7 x 3.7 x 1.65mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C

Transistor bipolar de baja saturación, NSS60600MZ4T1G, PNP -6 A -60 V SOT-223 (SC-73), 3 + Tab pines, 1 MHz, Simple

Transistores PNP para uso general, más de 1 A, ON Semiconductor

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