Una gama de IGBT Field Stop Trench de Fairchild Semiconductor que se ha sometido a pruebas de tensión y cumple con la norma AEC-Q101.
Características
• Coeficiente de temperatura positivo para facilitar el funcionamiento en paralelo • Capacidad de corriente alta • Tensión de saturación baja • Alta impedancia de entrada • Distribución de parámetros estrecha
Corrientes nominales aplicables cuando la temperatura de la conexión = +100 °C.
Estándares
AEC-Q101
IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
