IGBT, FGH60N60SMD_F085, N-Canal, 120 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple

Una gama de IGBT Field Stop Trench de Fairchild Semiconductor que se ha sometido a pruebas de tensión y cumple con la norma AEC-Q101.

• Coeficiente de temperatura positivo para facilitar el funcionamiento en paralelo
• Capacidad de corriente alta
• Tensión de saturación baja
• Alta impedancia de entrada
• Distribución de parámetros estrecha

864-8792 FGB20N60SFD_F085 IGBT 600V 20A D2PAK-2
864-8852 FGH40N60SMD_F085 IGBT 600V 40A TO247
864-8877 FGH60N60SMD_F085 IGBT 600V 60A TO247
135-8687 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263
135-8663 FGB40T65SPD_F085 IGBT 650V 40A TO263 (Paquete de 800)
864-8871 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247
124-1447 FGH75T65UPD_F085 IGBT 650V 75A TO247 (Paquete de 30)

Corrientes nominales aplicables cuando la temperatura de la conexión = +100 °C.

AEC-Q101

IGBT discretos y módulos, Fairchild Semiconductor

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.