MOSFET, N-Canal Vishay SIRA00DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 919-4246
- Referência do fabricante:
- SIRA00DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Sem stock actualmente
Lamentamos, mas não temos previsão para a reposição deste artigo
- Código RS:
- 919-4246
- Referência do fabricante:
- SIRA00DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.35mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 147nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -16V, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Anchura | 5.26mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.35mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 147nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -16V, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.25mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Anchura 5.26mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Vishay SIRA00DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SiRA74DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 81.2 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SI7454DDP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 21 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIR462DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 19 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIRA14DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 58 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIR870ADP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIRA06DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIRA20BDP-T1-GE3, VDSS 25 V, ID 335 A, Mejora, SO-8 de 8 pines