MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 10 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal 100 unidades (fornecido em tira contínua)*

72,20 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 720 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
100 - 1800,722 €
200 - 4800,649 €
500 - 9800,585 €
1000 +0,555 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
917-2747P
Referência do fabricante:
STD10P6F6
Fabricante:
STMicroelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

STripFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

160mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

30W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.4nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

7.45 mm

Altura

2.38mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.6mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics


Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics