MOSFET Infineon IPP180N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 43 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 892-2318
Referência do fabricante:: IPP180N10N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPP180N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 43 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Preço unitário (Fornecido em múltiplos de 10)**

1,008 €

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Unidades	Por unidade	Por Pack**
10 - 10	1,008 €	10,08 €
20 - 40	0,756 €	7,56 €
50 - 90	0,655 €	6,55 €
100 - 190	0,604 €	6,04 €
200 +	0,554 €	5,54 €

**preço indicativo

Código RS:: 892-2318
Referência do fabricante:: IPP180N10N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

IPP180N10N3 G, IPI180N10N3 G, OptiMOS3 Power-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	43 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	TO-220
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	33 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	71 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	4.57mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	10.36mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	19 nC a 10 V
Altura	15.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.2V

MOSFET Infineon IPP180N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 43 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior