MOSFET de potencia, N-Canal Infineon IRFP7718PBF, VDSS 75 V, ID 355 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
879-3325
Referência do fabricante:
IRFP7718PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

355A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

552nC

Disipación de potencia máxima Pd

517W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

5.31mm

Certificaciones y estándares

Lead-Free, RoHS

Altura

20.7mm

Longitud

15.87mm

Estándar de automoción

No

N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon


The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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