MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics STS10P4LLF6, VDSS 40 V, ID 10 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 876-5711
- Referência do fabricante:
- STS10P4LLF6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
7,75 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 4860 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,775 € | 7,75 € |
| 100 - 490 | 0,765 € | 7,65 € |
| 500 - 990 | 0,756 € | 7,56 € |
| 1000 - 2490 | 0,747 € | 7,47 € |
| 2500 + | 0,738 € | 7,38 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 876-5711
- Referência do fabricante:
- STS10P4LLF6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | STripFET | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.7W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 34nC | |
| Tensión directa Vf | -1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie STripFET | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.7W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC | ||
Tensión directa Vf -1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.