MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN2014LHAB-7, VDSS 20 V, ID 9.3 A, UDFN, Mejora de 7 pines, 2, config.

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Código RS:
827-0462
Referência do fabricante:
DMN2014LHAB-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

UDFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

28mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.7W

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Longitud

3.05mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202

Altura

0.6mm

Anchura

2.05 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


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