MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 9.3 A, UDFN, Mejora de 7 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 165-8742
- Referência do fabricante:
- DMN2014LHAB-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 165-8742
- Referência do fabricante:
- DMN2014LHAB-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | UDFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 28mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.7W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Longitud | 3.05mm | |
| Anchura | 2.05 mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202 | |
| Altura | 0.6mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado UDFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 28mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.7W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Longitud 3.05mm | ||
Anchura 2.05 mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202 | ||
Altura 0.6mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
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