Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 825-9168P
Referência do fabricante:: IPD034N06N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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50 - 90	1,408 €
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250 - 490	1,26 €
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Código RS:: 825-9168P
Referência do fabricante:: IPD034N06N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	TO-252
	Serie	OptiMOS 3
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	3.4mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	0.9V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	167W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	98nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	6.22 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	6.73mm
	Altura	2.413mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 100A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado TO-252
	Serie OptiMOS 3
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.4mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf 0.9V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 167W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 98nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 6.22 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 6.73mm
	Altura 2.413mm
	Estándar de automoción No

Estado RoHS: Não aplicável

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Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €

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