MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 500 V, ID 82 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- Código RS:
- 804-7565
- Número do artigo Distrelec:
- 302-53-357
- Referência do fabricante:
- IXFN100N50Q3
- Fabricante:
- IXYS
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- IXFN100N50Q3
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 82A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | SOT-227 | |
| Tipo de montaje | Panel | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 49mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 960W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 255nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 9.6mm | |
| Anchura | 25.07 mm | |
| Longitud | 38.23mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 82A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado SOT-227 | ||
Tipo de montaje Panel | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 49mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 960W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 255nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 9.6mm | ||
Anchura 25.07 mm | ||
Longitud 38.23mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3
Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura.
Diodo rectificador rápido intrínseco
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Encapsulados estándar del sector
Baja inductancia de encapsulado
Alta densidad de potencia
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
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